ЛИТЕРАТУРА ПО ФУНДАМЕНТАЛЬНЫМ И ПРИКЛАДНЫМ НАУКАМ
для школьников, студентов и научных работников

Каталог

Книги

Твердотельная фотоэлектроника. Фотодиоды Филачев А.М., Тришенков М.А., Таубкин И.И. Физматкнига 2011
/Филачев А.М., Тришенков М.А., Таубкин И.И./

Твердотельная фотоэлектроника. Фотодиоды

Издательство:Физматкнига
Год издания:2011
ISBN:978-5-89155-203-6
Кол-во страниц:448
Переплёт:Твёрдый
 396 руб.  В корзину

В предлагаемом вниманию читателей учебном пособии "Твердотельная фотоэлектроника. Фотодиоды" детально и с минимальным количеством отсылок к другой литературе рассмотрены физические явления в наиболее распространённых твердотельных фотоэлектронных изделиях - полупроводниковых фотодиодах, в том числе в лавинных и матричных фотодиодах, фотодиодах с внутренней фотоэмиссией, фотодиодах на основе гетеропереходов и квантово-размерных структур. Описаны структуры и характеристики промышленных и недавно разработанных фотодиодов на основе кремния, германия, соединений InGaAs, InSn, CdHgTe, SiC, AlGaN, квантово-размерных сверхрешёток InAs/GaSb и других материалов, чувствительных в различных спектральных диапазонах оптического излучения - от ультрафиолетового до инфракрасного.

Для студентов, обучающихся по направлениям "Оптотехника", "Фотоника и оптоинформатика", "Электроника и наноэлектроника", "Конструирование и технология электронных средств", "Наноинженерия", "Прикладная математика и физика", "Техническая физика", "Информационные системы и технологии" и "Приборостроение".

Для аспирантов, готовящих диссертации по специальностям "Физика полупроводников", "Физическая электроника", "Твердотельная электроника…", "Квантовая электроника", "Технология… приборов электронной техники", "Оптические и оптико-электронные приборы и комплексы", "Приборы и методы преобразования изображений и звука".

Для инженеров, научных работников и преподавателей вузов, специализирующихся в области разработки и применения изделий фотоэлектроники и оптико-электронных систем.

Оглавление

Предисловие

Глава 1. Свойства приграничных областей, Шоттки-барьеров и

переходов в полупроводниках

1.1. Свойства поверхности полупроводника

1.1.1. Идеализированная поверхность полупроводника

1.1.2. Реальная поверхность полупроводника

1.1.3. Поверхностная область пространственного заряда

1.1.4. Скорость поверхностной рекомбинации

1.2. Работы выхода металлов и полупроводников. Термоэлектронная

эмиссия

1.3. Контакт полупроводника и металла

1.4. Выпрямление на контакте полупроводника и металла

1.4.1. Влияние электрического напряжения на высоту

потенциального барьера и толщину области

пространственного заряда

1.4.2. Диодная теория выпрямления

1.4.3. Диффузионная теория выпрямления

1.4.4. Эффект Шоттки

1.5. Электронно-дырочные переходы в полупроводниках. Барьерная

ёмкость. рin-диоды.

1.6. Вольтамперные характеристики переходов

1.6.1. Квазиуровни Ферми

1.6.2. Вольтамперные характеристики перехода при

генерации и рекомбинации носителей в его нейтральных

областях

1.6.3. Вольтамперные характеристики переходов с тонкой

областью

1.6.4. Вольтамперные характеристики переходов при

генерации и рекомбинации носителей в области

пространственного заряда

1.6.5. Вольтамперные характеристики и применения и

гетеропереходов

1.7. Свойства переходов при малом переменном напряжении.

Диффузионная ёмкость

1.8. Структуры "металл-диэлектрик-полупроводник" и приборы с

зарядовой связью

1.9. Электрические контакты к полупроводниковым структурам

1.9.1. Нейтральные контакты

1.9.2. Антизапорные контакты

1.9.3. Контакты с изотипными переходами и гетеропереходами

Глава 2. Физические явления в фотодиодах

2.1. Фотогальванический эффект в фотодиодах

2.2. Типовые структуры фотодиодов. рin фотодиоды

2.3. Вольтамперная и нагрузочная характеристики фотодиода.

Эквивалентная схема фотодиода

2.4. Фотодиод и Солнце

2.5. Дрейф носителей через область пространственного заряда

2.6. Частотная характеристика фототока, генерированного в

нейтральных областях перехода

2.7. Тонкобазные фотодиоды. Фотодиоды с градационным электрическим полем

2.8. Спектральные характеристики чувствительности фотодиодов

2.9. Продольное растекание фототока в тонкобазных фотодиодах. Координатно-чувствительные фотодиоды с продольным фотоэффектом

2.10. Термо- и фотоиндуцированные шумы фотодиода при генерации носителей заряда в нейтральных областях

2.11. Шумы фотодиода при генерации носителей в области пространственного заряда

2.12. Ограничение частотных характеристик при стыковке фотодиода с

усилителем

Глава 3. Физические явления в лавинных фотодиодах

3.1. Коэффициенты ударной ионизации электронов и дырок

3.2. Коэффициент умножения лавинных фотодиодов

3.3. Инерционность лавинных фотодиодов

3.4. Лавинные фотодиоды с раздельными областями поглощения и

умножения

3.5. Шумы и пороговая чувствительность лавинных фотодиодов

3.6. Лавинные фотодиоды с шум-фактором, меньшим 2

3.6.1. Лавинные фотодиоды с субмикронной областью умножения

3.6.2. Многокаскадные лавинные фотодиоды

3.7. Лавинные фотодиоды в режиме счёта фотонов

3.8. Лавинное умножение электронов в приборах с зарядовой связью

Глава 4. Полупроводниковые фотодиоды (в том числе лавинные и матричные) с длинноволновой границей спектральной чувствительности менее 2 микрон

4.1. Кремниевые фотодиоды

4.1.1. Кремниевые pin фотодиоды

4.1.2. Лавинные фотодиоды из кремния

4.1.3. Фотоприёмные устройства с кремниевыми фотодиодами

4.1.4. Матричные формирователи сигналов изображения из

кремния

4.1.5. Монолитные фотоприёмные устройства и матрицы

на основе кремниевых лавинных фотодиодов.

4.2. Фотодиоды на основе гетеропереходов /

4.2.1. Фотодиоды на основе pin гетеропереходов

4.2.2. Лавинные гетерофотодиоды

4.2.3. Лавинные фотодиоды на основе гетероструктур


4.2.4. Многокаскадные лавинные фотодиоды

4.2.5. Фотодиоды с переносом электронов (UTC -PD)

4.3. Германиевые фотодиоды

4.4. Ультрафиолетовые, солнечно-cлепые и видимо-слепые фотодиоды

Глава 5. Полупроводниковые фотодиоды (в том числе лавинные и матричные) с длинноволновой границей спектральной чувствительности более 2 микрон

5.1. Фотодиоды из полупроводникового кадмий-ртуть-теллура

5.1.1. Свойства кадмий-ртуть-теллура и его эпитаксиальных слоёв

5.1.2. Историческая справка

5.1.3. Фокальные матрицы фотодиодов из кадмий-ртуть-теллура

5.1.4. Двухдиапазонные фокальные матрицы

5.1.5. Лавинные фотодиоды и матрицы на их основе

5.2. Фотодиоды из антимонида индия, арсенида индия и

5.2.1. Фотодиоды из антимонида индия

5.2.2. Арсенид индия, и фотодиоды на их основе

5.2.3. Фотоприёмники с энергетическим барьером

для основных носителей

5.3. Инфракрасные фотоприёмники из кремния

5.3.1. Фотодиоды с внутренней фотоэмиссией

5.3.2. Фотоприёмники с блокированной примесной зоной

5.4. Фотодиоды на основе квантово-размерных структур

5.4.1. Квантово-каскадные фотоприёмники

5.4.2. Фотоприёмники с квантовыми точками

5.4.3. Фотодиоды и структуры на основе напряжённых

сверхрешёток II-типа со смещённой запрещённой зоной


Заключение

Приложения

П.1. Классификация твердотельных приёмников излучения

П.2. Понятие об идеальном квантовом фотоприёмнике

П.3. Система характеристик и параметров фотоприёмников и

фотоприёмных устройств

П.4. Об эпитаксиальном выращивании полупроводниковых слоёв и

гетеропереходов

Список рекомендуемой литературы

Биографии авторов

Комментарии: (авторизуйтесь, чтобы оставить свой)
В корзине нет товаров
Новости
2017-07-17
Уважаемые заказчики! В связи с сезоном летних отпусков сроки обработки отдельных заказов могут быть несколько увеличены. Приносим вам свои извинения
2017-07-03
Издательство «Физматкнига» с глубоким прискорбием сообщает, что 2 июля на 87-м году жизни скончался наш многолетний автор, профессор, доктор педагогических наук Михаил Иванович Шабунин.
2017-07-01
Магазин «Физтех-книга» в летний период (июль и август) будет работать с 9.00 до 19.00. Выходные — суббота и воскресенье.
2016-11-07
Уважаемые покупатели! У нас изменился номер телефона. Новый городской номер (499) 390-51-38.